| 发明名称 | 辐射半导体元器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种辐射半导体元器件，其具有一种层状结构，该层状构造包含有一个n－掺杂的界限层(14)、一个p－掺杂的界限层(22)和一个布置在n－掺杂界限层(14)和p－掺杂的界限层(22)之间的活性的、发射光子的层(18)。按照本发明规定，n－掺杂的界限层(14)掺杂有第一种掺杂材料(或者两种相互不同的n－掺杂材料)用于产生一种高度活性的掺杂和清晰的掺杂轮廓；而且活性层(18)只掺杂一种与第一种掺杂材料不同的第二种掺杂材料用于改善活性层(18)的层质量。 | ||
| 申请公布号 | CN1813359A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200480018204.2 | 申请日期 | 2004.06.25 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | R·布滕代希;N·林德;B·迈尔;I·皮聪卡 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/30(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 苏娟;赵辛 |
| 主权项 | 1.具有层状结构的辐射半导体元器件，所述层状结构包含有：-n-掺杂的界限层(14；34)，-p-掺杂的界限层(22；38)，和-位于n-掺杂的界限层(14；34)和p-掺杂的界限层(22；38)之间的活性的、发射光子的层(18；36)，其特征在于，-n-掺杂的界限层(14；34)用第一种n-掺杂材料掺杂用于产生一种高的活性掺杂和/或一种清晰的掺杂轮廓，而且-活性层(18；36)用一种与第一种掺杂材料不同的第二种n-掺杂材料来掺杂，用于改善活性层的层质量。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||