| 发明名称 | 在栅极电极上具有硅层的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种CMOS器件，包括半导体基板、栅极绝缘膜和具有掺杂硼和磷的硅层、氮化钨层和钨层的栅极电极。在硅层的厚度方向的硼浓度分布中，硼的最大浓度和最小浓度的比小于100。该CMOS器件具有比较低的NBTI(负偏置温度稳定性)退化。 | ||
| 申请公布号 | CN1812103A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200510136967.3 | 申请日期 | 2005.12.16 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 山田悟;永井亮 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体基板；在该半导体基板上形成了的栅极绝缘膜；以及具有在该栅极绝缘膜上形成，掺杂硼和磷的作为最下层的硅层的栅极电极，其中，在所述硅层的厚度方向的硼浓度分布中，硼的最大浓度和最小浓度的比不高于100。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||