| 发明名称 | 利用延伸间隙壁的半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种利用延伸间隙壁的半导体元件。在一实施例中，此半导体元件包括在半导体基材上的闸极以及在闸极侧壁上的介电衬垫物。此半导体元件亦包括延伸间隙壁，此延伸间隙壁是毗邻介电衬垫物且沿着半导体基材侧向延伸越过介电衬垫物。此半导体元件更包括源极/汲极，此源极/汲极是位于半导体基材上表面的下方且毗邻于闸极下方的通道区。此源极/汲极是延伸至介电衬垫物及延伸间隙壁的下方。此半导体元件另更包括金属硅化区，此金属硅化区是在部分的源极/汲极的上方且沿着半导体基材侧向延伸越过延伸间隙壁。因此，金属硅化区是位于部分的源极/汲极的上方，而延伸间隙壁则介于介电衬垫物与金属硅化区之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1812126A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200510123256.2 | 申请日期 | 2005.11.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈光鑫;钟堂轩;黄健朝;温政国;李迪弘 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种形成于半导体基材上的半导体元件，其特征在于其至少包括：一闸极，该闸极在该半导体基材上；一介电衬垫物，该介电衬垫物在该闸极的一侧壁上；一延伸间隙壁，该延伸间隙壁是毗邻该介电衬垫物且沿着该半导体基材侧向延伸越过该介电衬垫物；一源极/汲极，该源极/汲极是在该半导体基材的一上表面的下方且毗邻于该闸极下方的一通道区，且该源极/汲极是延伸至该介电衬垫物及该延伸间隙壁的下方；以及一金属硅化区，该金属硅化区是在部分的该源极/汲极的上方且沿着该半导体基材侧向延伸越过该延伸间隙壁。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||