| 发明名称 | CMOS半导体器件 | ||
| 摘要 | 在使用相同的电源电压工作的区域中形成N型MOSFET(118)和P型MOSFET(120)时，使N型MOSFET(118)的栅绝缘膜(106a)的厚度比P型MOSFET(120)的栅绝缘膜(106b)的厚度厚。 | ||
| 申请公布号 | CN1812102A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200510136214.2 | 申请日期 | 2005.12.22 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 | 发明人 | 益冈有里;君塚直彦;今井清隆;岩本敏幸 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其包括：使用相同的电源电压工作的N型MOSFET和P型MOSFET；所述N型MOSFET具有第一栅绝缘膜；以及所述P型MOSFET具有第二栅绝缘膜，其中所述第一栅绝缘膜的膜厚度比所述第二栅绝缘膜的膜厚度厚。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||