| 发明名称 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、电子设备及多晶半导体薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够简单地实现低阈值电压、高载流子迁移率以及低漏电流等特性的TFT等。TFT由具有小热容量部分和大热容量部分的多晶Si膜构成，小热容量部分至少被用作沟道部分。并且，多晶Si膜由通过激光退火而形成的晶粒膜构成，该激光退火的能量密度具有使小热容量部分完全熔化而使大热容量部分不完全熔化的大小。由于由从小热容量部分和大热容量部分的界面生长的粗大晶粒构成沟道部分，所以，可以使用一般的激光退火装置简单地实现低阈值电压、高载流子迁移率以及低漏电流等特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1813344A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200480018201.9 | 申请日期 | 2004.03.15 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 奥村展 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，其特征在于，由具有热容量大的大热容量部分和热容量小的小热容量部分的多晶半导体薄膜构成，所述小热容量部分至少被用作沟道部分，所述多晶半导体薄膜由下述的晶粒膜形成，所述晶粒膜通过所述小热容量部分完全熔化而所述大热容量部分不完全熔化的能量密度的激光退火而形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||