| 发明名称 | 用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料 | ||
| 摘要 | 本发明公开了属于磁学量传感器材料的一种用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料。是在Si(100)基片上，用不同比例的Ni-C复合冷压靶材，在3-5Pa氩气条件下，利用PLD方法在一定温度下沉积得Ni-C薄膜。在同样制备条件下，不同靶材成分，其薄膜厚度不同，薄膜厚度约为：30-120nm。该材料在温度为300K、外加磁场为1T的条件下的正巨磁阻效应可高达13％，此后，随外加磁场的增加而增加。Ni-C材料价格低廉，性能优越，是一种很好的磁传感器材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1267575C | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN03146161.1 | 申请日期 | 2003.07.25 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 章晓中;薛庆忠;田鹏 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01);C23C14/24(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01L43/10(2006.01);H01L43/12(2006.01) | 主分类号 | C23C14/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李光松 |
| 主权项 | 1.一种用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料，其特征在于：所述Ni-C薄膜是在Si(100)基片上，用镍含量的体积百分比为1-40％压成Ni-C复合冷压靶材，在真空镀膜室中，用PLD法在3-5Pa氩气条件下，基片在恒定温度下沉积获得的镍碳薄膜；所述具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料的组成为冷压靶材的成分。 | ||
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