| 发明名称 | 有机薄膜形成方法 | ||
| 摘要 | 一种有机薄膜的形成方法，在半导体基底(10)上形成由氮化硅膜或氮氧化硅膜构成的底膜(11)后，对底膜(11)进行使用洗涤液(12)的湿式洗涤处理。然后，对底膜(11)照射远紫外线(13)后，通过旋转半导体基底(10)，同时将液状有机材料供于半导体基底(10)上，在底膜(11)上形成厚度为100nm以下的有机薄膜(14)。从而在使用低粘度的有机材料在氮化硅膜或氮氧化硅膜上形成有机薄膜的场合，也能够防止产生涂覆不均，得到膜厚均匀性优良的有机薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1267974C | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN02105076.7 | 申请日期 | 2002.02.20 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 庄野朋文;山下一博 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/312(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种有机薄膜形成方法，其特征在于，包括下述工序：在基底上形成由氮化硅膜或氮氧化硅膜构成的底膜的工序；对上述底膜进行使用混入了CO2的纯水的湿式洗涤处理的工序；对上述进行了湿式洗涤处理的上述底膜照射远紫外线的工序；通过旋转上述基底，同时将环己酮供于上述基底上，在上述照射了远紫外线的上述底膜上形成厚度为100nm以下的有机薄膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||