压控振荡器

摘要

使用振荡电路的包括负荷电容器的可变电容器和在MOS晶体管4和5的漏极端子和栅极端子之间产生的静态电容在晶体振荡器3的一端和另一端之间形成DC截断电容器9、10和可变电容器(MOS晶体管)4和5的串联，所述振荡电路具有反馈电阻器1、反相器2和晶体振荡器3，在MOS晶体管4和5中，源极和后栅极端子彼此短路。例如，MOS晶体管4和5的门限电压控制信号通过高频消除电阻器11、12而被输入到漏极端子，并且通过高频消除电阻器7、8而被输入到源极－后栅极端子。另外，通过叠加MOS晶体管4和5的温度特性补偿信号和门限电压控制信号而获得的信号被输入到栅极端子。因此，有可能无区别地确定温度补偿控制电路或外部电压频率控制电路的输出偏压。

主权项

1.一种压控振荡器包括：放大器，它包括反相器和反馈电阻器；压电振子，它连接到所述放大器的输入和输出端子；可变电容元件，它包括可变电容器与第一和第二DC截断电容器，其中，第一和第二DC截断电容器的一端分别连接到所述压电振子的两端子，并且第一和第二DC截断电容器作为在压电振子的端子之间的负荷电容，其中，所述可变电容器包括：第一和第二MOS晶体管，其中，漏极端子连接到第一和第二DC截断电容器的另一端，源极和后栅极端子彼此短路，并且短接栅极端子；第一和第二高频消除电阻器，其中，其一端连接到第一和第二MOS晶体管的源极-后栅极端子的每个；以及，第三和第四高频消除电阻器，其中，其一端分别连接到第一和第二MOS晶体管的漏极端子的每个，另一端彼此连接，并且通过第一控制信号和第二控制信号来控制振荡频率，所述第一控制信号是由在第一MOS晶体管的漏极和栅极端子之间产生的静态电容和在第二MOS晶体管的漏极和栅极端子之间产生的静态电容形成的，并且当振荡电压被施加到第一和第二MOS晶体管的漏极端子时被输入到连接到第一和第二MOS晶体管的栅极端子，并且所述第二控制信号分别通过第三和第四高频消除电阻器而被输入到第一和第二MOS晶体管的每个漏极端子，并且分别通过第一和第二高频消除电阻器而被输入到第一和第二MOS晶体管的源极-后栅极端子。