| 发明名称 | 在基底上形成填充介电材料的图案的方法 | ||
| 摘要 | 公开了通过热转移工艺在基底上形成填充介电材料图案的方法，包括将包含基底和介电材料转移层的热成像供体元件向热暴露。曝光图案是要在基底上形成的所需图案的像，这样将部分介电材料层转移到基底上，在此形成电子器件。可以将填充的介电材料图案化到薄膜晶体管的栅极上。图案介电材料还可以形成互连件的绝缘层。还公开了在该方法中使用的供体元件。还公开了用于热转移工艺中的薄膜晶体管和供体元件的形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1813362A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200480017906.9 | 申请日期 | 2004.06.25 |
| 申请人 | 纳幕尔杜邦公司 | 发明人 | G·B·布兰彻特－芬彻尔;K·B·菲瑟尔 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | H01L51/05(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;王景朝 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：a、形成供体元件，其包含透明的、片状形式的尺寸稳定基底和转移层；其中的转移层包含高介电常数纳米颗粒和分散剂或聚合物基体；b、将供体元件转移层与受体元件接触放置；和c、加热供体元件的选择区域以实施转移层向受体元件的部分转移，形成多层结构。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州威尔明顿 | ||