| 发明名称 | 形成电可编程只读存储器的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成电可编程只读存储器的方法，其包括在一N型阱上形成一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区及一第三P型掺杂区，于该第一P型掺杂区及该第二P型掺杂区之间形成一控制栅极，以及于该第二P型掺杂区及该第三P型掺杂区之间形成一P型浮置栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN1267988C | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN02160429.0 | 申请日期 | 2002.12.30 |
| 申请人 | 力旺电子股份有限公司 | 发明人 | 徐清祥;朱志勋;何明洲;沈士杰 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成电可编程只读存储器的方法，其包括：于一N型阱上形成一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区及一第三P型掺杂区；于该第一P型掺杂区及该第二P型掺杂区之间形成一控制栅极；于该第二P型掺杂区及该第三P型掺杂区之间形成一N型浮置栅极；以及增加该N型阱介于该第二P型掺杂区及该第三P型掺杂区之间的施主离子的浓度以形成一N-型掺杂区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||