| 发明名称 | 氧化锌基纳米棒和半导体薄膜的P－N异质结结构、其制备和包括其的纳米器件 | ||
| 摘要 | 一种由p型半导体薄膜和外延生长于其上的n型ZnO基纳米棒组成的异质结结构，由于促进了电子通过纳米尺寸结的隧穿和使用具有高激子能量的ZnO作为发光材料，因此该异质结结构表现出高发光效率特性，并因此其利于应用于诸如LED、场效应晶体管、光探测器、传感器等的纳米器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1813357A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200480017788.1 | 申请日期 | 2004.06.25 |
| 申请人 | 学校法人浦项工科大学校 | 发明人 | 李圭哲;朴原一 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种异质结结构，包含p型半导体薄膜和外延生长于其上的n型ZnO基纳米棒。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||