发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种实现了图像同时性的CMOS固体摄像器件及其制造方法。本发明一实施方式的固体摄像器件,具有:光信号存储区,设置在半导体衬底中;信号检测区,设置在上述半导体衬底中,与上述光信号存储区隔离;晶体管,将上述光信号存储区和上述信号检测区电连接;布线,与上述信号检测区连接;以及遮光膜,与上述信号检测区靠近设置,覆盖该信号检测区。 |
申请公布号 |
CN1812110A |
申请公布日期 |
2006.08.02 |
申请号 |
CN200510022974.0 |
申请日期 |
2005.12.22 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
井原久典 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L21/8234(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
胡建新 |
主权项 |
1、一种固体摄像器件,其特征在于,具有:光信号存储区,设置在半导体衬底中;信号检测区,设置在上述半导体衬底中,与上述光信号存储区隔离;晶体管,将上述光信号存储区和上述信号检测区电连接;布线,与上述信号检测区连接;以及遮光膜,与上述信号检测区靠近设置,覆盖该信号检测区。 |
地址 |
日本东京都 |