用于非易失性存储器中的基准晶体管的可变栅偏置

摘要

非易失性存储器(30)包括纳米晶体存储单(50、51、53)。存储单元晶体管(50、51、53)的编程和擦除阈电压随着编程/擦除操作的数目而升高。在读操作期间，基准晶体管(46)提供基准电流，以便与单元电流相比较。基准晶体管(46)是通过与用于制造存储单元晶体管(50、51、53)类似的工艺来制造的，但除了基准晶体管(46)不包括纳米晶体。通过使用类似的工艺来制造基准晶体管(46)和存储单元晶体管(50、51、53)两者，基准晶体管(46)的阈电压将跟踪存储单元晶体管(50、51、53)的阈电压偏移。读取控制电路(42)被用于对基准晶体管(46)的栅极进行偏置。读取控制电路(42)检测基准晶体管(46)的漏极电流，并调节栅极偏置电压，以便将基准电流维持在相对于单元电流基本恒定的值上。

主权项

1.一种存储器包括：按行和列形成的存储单元阵列；与存储单元阵列耦合的读出放大器，所述读出放大器具有用于从存储单元之一接收与一数据值相对应的电流的第一输入、用于接收预定基准电流的第二输入、和在读取存储器的时候提供输出数据值的输出；以及与读出放大器的第二输入耦合的读取控制电路，所述读取控制电路具有用于响应于基准电压提供预定基准电流的基准晶体管，所述读取控制电路以将所述预定基准电流维持在基本恒定值的方式来改变基准电压。