| 摘要 |
揭示一种IGFET，其藉由将源极与汲极区域的侧向边缘自开口与错位的相邻边缘移位，使得于元件区域的边缘之错位效应为最小。此系使得源极与汲极杂质之侧向扩散及金属矽化物至错位区域之形成为最小。藉着提供自氧化物层延伸至基板区域的相邻区域之额外侧向相对放置的第二闸极区域或氧化物障壁层，与延伸于其间之第一闸极区域，而产生源极与汲极区域的侧向边缘自该开口与错位区域的相邻边缘之间隔。第一闸极区域以及二个第二闸极区域或障壁层系均运用于源极与汲极区域之自我对准的处理。第一闸极区域系界定通道之长度，而二个相对第二闸极区域或障壁层系界定该通道区域之宽度。第二闸极部分或障壁层系充分延伸至基板区域，以自于氧化物之开口的相邻边缘而间隔该通道之宽度。 |
