发明名称 高压操作静电放电保护装置
摘要 本发明提供一种高压操作静电放电保护装置。该高压操作静电放电保护装置包括:以一预定距离安置在一第一导电类型基板上之一第一闸极结构及一第二闸极结构;一第一导电类型井,其形成于该基板之一第一区域中以使该井接触该第一闸极结构的一个底部部分;一形成于该井内之第二导电类型源极区;一形成于该井内、包围该源极区之第一导电类型后套源极区(counter pocket source region);及一第二导电类型漂移区,其接触该第二闸极结构之一底部表面,且形成于该基板之一第二区域中以使该漂移区接触该第一闸极结构之另一个底部部分。
申请公布号 TW200627622 申请公布日期 2006.08.01
申请号 TW094130904 申请日期 2005.09.08
申请人 美格纳半导体有限公司 发明人 金吉浩
分类号 H01L23/62 主分类号 H01L23/62
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国