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发明名称
用以使用原子层沉积技术沉积钨层之方法
摘要
在一实施例中,本发明提供一种用以形成一含钨层于一基材上之方法,该方法包含:定位一处理腔室内之一基材,其中基材包含一阻障层;暴露基材至一第一浸泡制程而持续一第一期间;以及藉由将一含钨前驱物与一还原剂流动入处理腔室以沈积一成核层于阻障层上。该方法更包含暴露基材至一第二浸泡制程而持续一第二期间;以及沈积一块体层于成核层上。在一实例中,阻障层包含氮化钛,并且第一与第二浸泡制程包含至少一还原气体。成核层可以藉由一原子层沈积制程或一脉冲化学气相沈积制程而被沈积,并且块体层可以藉由一化学气相沈积制程或一物理气相沈积制程而被沈积。
申请公布号
TW200626748
申请公布日期
2006.08.01
申请号
TW095101760
申请日期
2006.01.17
申请人
应用材料股份有限公司
发明人
赖耿光;拉贾勾帕兰拉菲;坎多尔沃夫亚弥特;摩西马德夫;干德可塔史林尼维斯;卡思若乔瑟夫;杰拉多斯巴艾夫杰尼诺斯V GELATOS, AVGERINOS V.;坎博费勒查利;菅平;方宏斌;洪昭明;奚明;杨晓晅(麦克X) YANG, MICHAEL X.;仲华;兵杰松
分类号
C23C26/00
主分类号
C23C26/00
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
美国
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