| 摘要 |
本发明提供一种用于形成一半导体装置结构(30)之一部分的方法，该方法包含提供一具有一半导体活性层(34)、一绝缘层(32)及一半导体基板之绝缘体上半导体(semiconductor–on–insulator)基板。一第一隔离沟渠(40)形成于该半导体活性层内且应力材料(42)沉积于该第一沟渠之底部上，其中该应力材料包括双用途膜。一第二隔离沟渠(44)形成于该半导体活性层内，其中该第二隔离沟渠在该第二沟渠之底部上不存在该应力材料。应力材料分别于该第一与该第二隔离沟渠内之该存在与该不存在提供差异应力(i)在该半导体装置结构之N类型或P类型装置中之一或多者上，(ii)于宽度方向或通道方向之定向中之一或多者，(iii)以定做一＜100＞或＜110＞绝缘体上半导体基板中之一或多者的应力利益。 |
