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发明名称
消除压印微影术中次解析缺陷可印性的技术
摘要
本发明系提供一种以一模在一被设于一基材上之料层中制成所需图案的方法,该方法包括:以该模接触该料层来形成一形状,其中具有多数的特征细构会沿一第一方向延伸;及改变该料层的形状在一正交于第一方向之第二方向的尺寸,来消除一部份尺寸小于一预定大小的细构,而在该料层中获得所需图案。
申请公布号
TW200627074
申请公布日期
2006.08.01
申请号
TW094142251
申请日期
2005.12.01
申请人
分子压模公司
发明人
史瑞尼瓦森
分类号
G03F7/16
主分类号
G03F7/16
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
美国
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