非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，此方法系先提供基底，且此基底上已形成有穿隧层与浮置闸极层。然后，于浮置闸极层上形成罩幕层，且此罩幕层具有开口而暴露出部分的浮置闸极层。接着，移除开口中之部分的浮置闸极层，以使此浮置闸极层表面凹陷。之后，于浮置闸极层上形成闸间介电层。继之，于闸间介电层上形成控制闸极层。然后，移除罩幕层以及位于罩幕层下方之浮置闸极层以形成另一开口。接着于此开口中填入选择闸极层