高效率第III族氮化物碳化矽之发光二极体HIGH EFFICIENCY GROUP III NITRIDE-SILICON CARBIDE LIGHT EMITTING DIODE

摘要

本发明揭示一种用于制造适于封装之高效率高提取发光二极体之方法及所得结构。该方法包括下列步骤：添加一宽广带隙半导体材料之发光作用部分至一导电碳化矽基板，将所添加之作用部分接合至一导电子安装结构，及移除与该所添加之作用部分相对之该碳化矽基板之部分从而减小经接合之基板、作用部分及子安装结构之总厚度。该所得子安装结构可接合至一引线框，同时该作用部分位于该碳化矽基板与该子安装结构之间，从而使用该子安装结构将该作用部分分离于该引线框且避免该作用部分与该引线框之间之不当电接触。