发明名称 导线的制造方法
摘要 一种导线的制造方法。此方法系先提供一基底,基底上已形成一层多晶矽层。然后,于多晶矽层上形成一层罩幕层,其具有一开口暴露出多晶矽层。接着,于罩幕层之侧壁形成间隙壁。继而,以具有间隙壁之罩幕层为罩幕,移除部分多晶矽层,以暴露出基底。之后,再于基底上形成填满开口的绝缘层,绝缘层与罩幕层具有不同蚀刻选择性。接下来,移除罩幕层,以暴露出多晶矽层。然后,于多晶矽层表面形成一金属矽化物层。
申请公布号 TW200627530 申请公布日期 2006.08.01
申请号 TW094102421 申请日期 2005.01.27
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 张驌远;黄明山;许汉杰
分类号 H01L21/283 主分类号 H01L21/283
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号