| 主权项 |
1.一种半导体晶圆之蚀刻装置,包括: 蚀刻槽,贮存蚀刻液;及 晶圆匣,对于该蚀刻槽出入,排列并收藏复数片半 导体晶圆; 利用转动装置令在该晶圆匣之内部所收藏之半导 体晶圆转动,进行蚀刻; 其特征在于: 该转动装置包括: 正转部,令在该晶圆匣之内部转动之复数片半导体 晶圆之中之每隔一片之半导体晶圆绕其中心轴正 转;及 反转部,今不正转之半导体晶圆绕其中心轴反转; 该正转部或反转部之转动运动藉着直接传达另一 方之转动运动进行。 2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之蚀刻装置, 其中,对于该正转部,交互连续的形成接触支撑半 导体晶圆并传达转动运动之转动连动部及环状部; 对于该反转部,交互连续的形成转动连动部及环状 部,使得对于该正转部变成锯齿状; 接触支撑在该转动连动部之半导体晶圆之部分之 外径比环状部之对应之部分之外径大。 3.如申请专利范围第1或2项之半导体晶圆之蚀刻装 置,其中,在该晶圆匣配设整流构件,使得位于该半 导体晶圆之前后。 4.如申请专利范围第3项之半导体晶圆之蚀刻装置, 其中,整流构件和蚀刻之半导体晶圆之覆盖部分之 宽度系0~10mm。 5.如申请专利范围第1或2项之半导体晶圆之蚀刻装 置,其中,在该晶圆匣配设整流构件,使得位于该半 导体晶圆之约正下。 6.如申请专利范围第5项之半导体晶圆之蚀刻装置, 其中,整流构件和蚀刻之半导体晶圆之间隔系0.1~3. 0 mm。 7.如申请专利范围第3项之半导体晶圆之蚀刻装置, 其中,该整流构件之厚度系和蚀刻之半导体晶圆之 厚度大致相等。 图式简单说明: 第1图系表示本发明之蚀刻装置之一实施形态之概 略图。 第2图系表示构成图1之蚀刻装置之晶圆匣之构造 之立体图。 第3图系第2图之晶圆匣之正视图。 第4图系晶圆匣之右侧视图。 第5图系表示构成晶圆匣之正转杆及反转杆之关系 之概略图。 第6图系表示蚀刻时晶圆匣之转动运动状态之模式 图。 第7图系表示构成本发明之蚀刻装置之晶圆匣之别 的实施形态之立体图。 第8图系表示第7图之晶圆匣之正视图。 第9图系第8图之IX-IX剖面图。 第10图系表示本发明之蚀刻装置之另一实施形态 之剖面图。 第11图系表示使用实施形态1之蚀刻装置所蚀刻之 矽晶圆之模式图。 第12图系表示使用比较例1之蚀刻装置所蚀刻之矽 晶圆之模式图。 第13图系表示以往之蚀刻装置之一形态之概略图 。 |
