| 主权项 |
1.一种由记忆体管理程式控制之数位可覆写半导 体的记忆体中之多个资料区块的储存方法,且其特 征在于由下列步骤构成: -随意地决定可用区域, -储存资料区块在以此方式选择的区域。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于它包 含由记忆体管理程式做的记忆体的事先检查步骤, 该检查决定可用的区域。 3.根据申请专利范围第2项之方法,其特征在于检查 记忆体后获得的结果构成可用区域的位址暂时地 保存在第二记忆体中之一序列,位址接着系自该序 列随意地选择且接着资料区块系储存在由此位址 表示的记忆体的区域中。 4.根据申请专利范围第2项之方法,其特征在于记忆 体的检查决定可用区域数,在1及所找到的区域数 间之数字的随意选择表示区块必需被储存之区域 。 5.根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于1及 最大可能可用区域数间之数字N被随意地决定,记 忆体管理程式连续地搜寻第N个可用区域且,如果 在找到该区域之前到达记忆体结尾,记忆体管理程 式自记忆体的开始重新开始搜寻直到它到达第N个 可用区域。 6.根据申请专利范围第1至5项中任一项之方法,其 特征在于区块是变动长度的区块,记忆体中区块的 储存系以长度等于或大于该区块长度的可用区域 制作。 7.根据申请专利范围第1至5项中任一项之方法,其 特征在于资料区块都是同长度,记忆体可用长度具 有长度等于或大于区块长度的倍数。 8.根据申请专利范围第1至5项中任一项之方法,其 特征在于它包括将被记忆的区块目前长度m的先前 决定步骤,较该目前値长度短的区块Bn系储存在自 前面区块的间距m以留下等于目前长度m及区块Bn长 度间之差之自由空间,等长或较目前长度长的区块 Bn系储存在紧随前面区块之后。 9.根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于记忆 体系经由指标表格对资料直接存取,该指标在记忆 体中资料区块的储存前被随意地选择。 10.根据申请专利范围第9项之方法,其特征在于指 标表格系储存在不同于主要记忆体的安全记忆体 中,各指标系与资料区块的识别符号关联。 11.根据申请专利范围第10项之方法,其特征在于该 不同的安全记忆体系位于可移除安全模组像是晶 片卡。 图式简单说明: 图1显示在部分记忆体中具有同长度的一些资料区 块的储存。 图2显示变动长度区块的储存。 图3示例考虑预定间隙之区块的储存。 |
