发明名称 Transflash转SD转接卡结构改良
摘要 一种「Transflash转SD转接卡结构改良」,其系包含一上盖、下盖及转接端子模组,用来转换Transflash记忆卡成为SD记忆卡之型式,该转接端子模组系由数支端子及固定端子位置之模座结合组成者;其特征在于:端子系于模座前后端分别形成有九个SD接脚及八个 Transflash接脚,除了第三支端子为独立SD接脚外,其余均由SD接脚延伸至Transflash接脚之长形端子,在第六支与第三支端子之SD接脚上方设有一桥接结构者;据而,将转接端子模组放置于上、下盖的适当位置后,将上、下盖超音波铆合固定,使桥接结构之接电端被上盖压下,而使第六支与第三支端子接触短路。
申请公布号 TWM295358 申请公布日期 2006.08.01
申请号 TW095202001 申请日期 2006.01.27
申请人 李蕴修 发明人 李蕴修
分类号 H01R12/30 主分类号 H01R12/30
代理机构 代理人 樊欣佩 台北市中正区衡阳路36号4楼
主权项 1.一种「Transflash转SD转接卡结构改良」,其系包含 一上盖、下盖及转接端子模组,用来转换Transflash 记忆卡成为SD记忆卡之型式,该转接端子模组系由 数支端子及固定端子位置之模座结合组成者;其特 征在于:端子系于模座前后端分别形成有九个SD接 脚及八个Transflash接脚,除了第三支端子为独立SD接 脚外,其余均由SD接脚延伸至Transflash接脚之长形端 子,在第六支与第三支端子之SD接脚上方设有一桥 接结构者;组装时,系将转接端子模组放置于上、 下盖间的适当位置后,将上、下盖超音波铆合固定 ,使桥接结构之接电端被上盖压下而与第三支端子 接触达到短路者。 2.如申请专利范围第1项所述之「Transflash转SD转接 卡结构改良」,其中之桥接结构系为一端连接于第 六支SD接脚前端之弹片,且该弹片另一端之接电端 系位于第三支端子上方。 3.如申请专利范围第1项所述之「Transflash转SD转接 卡结构改良」,其中之桥接结构系为装设在上盖内 面的折片,且该折片二接电端分别位于第六支与第 三支SD接脚上方。 图式简单说明: 第一图为SD卡与transflash卡端子的相对位置图 第二图为SD卡与transflash卡转接端子之结构示意图 第三图为习知转接端子之结构示意图 第四图为本创作之立体分解图 第五图为本创作另一实施例之立体分解图 第六图为第四图之组合剖视图 第七图为第五图之组合剖视图
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