| 主权项 |
1.一种即时监控制作磁性记忆单元的方法,包括以 下之步骤: a.在基板上成长薄膜; b.在最上层加上电极金层; c.将加上电极金层之薄膜进行离子束蚀刻; d.在进行离子束蚀刻的同时,进行电阻的量测; e.持续进行离子束蚀刻,此时薄膜会逐渐被蚀刻掉 而变薄; f.持续进行离子束蚀刻,当蚀刻到基板时,电路会变 成断路; 当电路会变成断路即完成,成为一种一方面蚀刻、 一方面即时量测电阻之即时监控制作磁性记忆单 元的方法。 2.如申请专利范围第1项所示之即时监控制作磁性 记忆单元的方法,其中,薄膜可为金属薄膜。 3.如申请专利范围第1项所示之即时监控制作磁性 记忆单元的方法,其中,薄膜可为单层金属薄膜。 4.如申请专利范围第1项所示之即时监控制作磁性 记忆单元的方法,其中,薄膜可为多层金属薄膜。 5.如申请专利范围第1项所示之即时监控制作磁性 记忆单元的方法,其中,薄膜可为镍铁金属薄膜。 6.如申请专利范围第1项所示之即时监控制作磁性 记忆单元的方法,其中,薄膜可为单层镍铁薄膜。 7.如申请专利范围第1项所示之即时监控制作磁性 记忆单元的方法,其中,薄膜可为多层镍铁薄膜。 8.如申请专利范围第1项所示之即时监控制作磁性 记忆单元的方法,其中,薄膜可为磁性薄膜。 9.如申请专利范围第1项所示之即时监控制作磁性 记忆单元的方法,其中,薄膜可为单层磁性薄膜。 10.如申请专利范围第1项所示之即时监控制作磁性 记忆单元的方法,其中,薄膜可为多层磁性薄膜。 11.如申请专利范围第1项所示之即时监控制作磁性 记忆单元的方法,其中加上电极金层之方法可为半 导体制程。 12.一种即时监控制作穿隧式磁阻记忆单元的方法, 包括以下之步骤: a.在基板上逐步覆盖穿隧式磁阻记忆单元之多层 结构; b.最上层加上电极金层(Au pad); c.将加上电极金层之穿隧式磁阻记忆单元进行离 子束蚀刻; d.在进行离子束蚀刻的同时,进行电阻的量测; e.持续进行离子束蚀刻,此时最上层会逐渐被蚀刻 掉,过程中持续量测电阻値的变化; f.持续进行离子束蚀刻,而当其蚀刻最下层时,即时 量测到的电阻値将会上升; g.依此现象将可控制蚀刻至最下层的时间点,一个 磁性穿隧结(MTJ)单元即可被定义完成; 成为一种一方面蚀刻、一方面即时量测电阻之即 时监控制作穿隧式磁阻记忆单元的方法。 13.如申请专利范围第12项所示之即时监控制作穿 隧式磁阻记忆单元的方法,其中逐步覆盖穿隧式磁 阻记忆单元之多层结构为偏压层、被固定层、绝 缘层和自由层。 14.如申请专利范围第12项所示之即时监控制作穿 隧式磁阻记忆单元的方法,其中最上层为自由层。 15.如申请专利范围第12项所示之即时监控制作穿 隧式磁阻记忆单元的方法,其中加上电极金层之方 法可为半导体制程。 16.如申请专利范围第12项所示之即时监控制作穿 隧式磁阻记忆单元的方法,其中最下层为偏压层。 图式简单说明: 第1图为习用之穿隧式磁阻记忆单元多膜层结构示 意图。 第2图为量测电流垂直于薄膜平面方法示意图。 第3图为离子束蚀刻之蚀刻前示意图。 第4图为离子束蚀刻之蚀刻后示意图。 第5图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方法 之单层膜示意图。 第6图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方法 之单层膜电极金层示意图。 第7图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方法 之单层膜进行离子束蚀刻示意图。 第8图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方法 之单层膜进行离子束蚀刻样品之镍铁薄膜蚀刻示 意图。 第9图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方法 之单层膜进行离子束蚀刻样品之镍铁薄膜蚀刻完 成示意图。 第10图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方 法之单层镍铁薄膜的电阻値对蚀刻时间的关系图, 副图是蚀刻时间与膜厚的关系图。 第11图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方 法之多层膜示意图。 第12图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方 法之多层膜加上电极金层示意图。 第13图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方 法之同步进行离子束蚀刻与电阻量测示意图。 第14图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方 法之同步进行离子束蚀刻与电阻量测之过程示意 图。 第15图为本发明即时监控制作磁性记忆单元的方 法之同步进行离子束蚀刻与电阻量测之过程完成 示意图。 |
