| 主权项 |
1.一种用以形成光波导的方法,该方法至少包含步 骤: 沉积一被覆材料在第一基板上; 形成一沟渠在该第一基板上之被覆材料中; 将一导光芯材填入该沟渠中; 平坦化第一基板的上表面; 沉积该被覆材料在一第二基板上; 在该第二基板上之被覆材料中,形成一镜像沟渠; 将该导光芯材填入该镜像沟渠中; 平坦化该第二基板的上表面;及 将第一基板固定至第二基板,使得该沟渠及该镜像 沟渠系邻接在一起并形成一实质圆形光纤芯。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之形 成一沟渠及一镜像沟渠包含使用一等向蚀刻制程 。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之等 向蚀刻制程包含: 在具有一孔径形成于其中之被覆材料上,形成一遮 罩;及 经由该孔径,施加一等向蚀刻溶液至该被覆材料。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之沟 渠及镜像沟渠具有实质半圆剖面。 5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述之孔 径的尺寸系经设计以当一等向蚀刻剂经由该孔径 被施加至该被覆材料时可于其中产生一实质半圆 空腔。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之导 光芯材系同心定位在该沟渠内。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之导 光芯材系同心定位在该镜像沟渠内。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之沉 积一被覆层包含使用旋涂制程、物理气相沉积制 程及一化学气相沉积制程之至少之一。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之以 一导光芯材填充该沟渠及该镜像沟渠包含使用旋 涂制程、物理气相沉积制程、及化学气相沉积制 程的至少之一。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 平坦化第一基板的上表面及第二基板的上表面更 包含使用一化学机械研磨制程。 11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 将第一基板固定至第二基板包含一环氧制程、压 合制程、溶合制程、胶合制程、及一机械夹合制 程之至少之一。 12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 形成一沟渠及形成一镜像沟渠包含于该被覆层中 蚀刻一实质半圆沟渠,该实质半圆沟渠具有一第一 终端及一第二终端。 13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之 第一终端的半径系大于该第二终端的半径。 14.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含由该 第一及第二基板去除端部。 15.一种在波导中形成一实质圆形光通道的方法,该 方法至少包含步骤: 沉积一被覆层在一基板上; 在该被覆层中,蚀刻一第一沟渠,该第一沟渠具有 一半圆剖面; 在该被覆层中,蚀刻一镜像沟渠,该镜像沟渠具有 一半圆剖面; 将一导光芯材填充入该第一沟渠及镜像沟渠; 平坦化该被覆层的上表面及在该第一沟渠及镜像 沟渠上之区域;及 将镜像沟渠折向第一沟渠并将之固定至其上,以形 成一实质圆形光纤芯。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 蚀刻一第一沟渠及一镜像沟渠包含使用一等向蚀 刻制程。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之 等向蚀刻制程包含: 沉积一遮罩层在该被覆层上; 以一光微影制程,显影在该遮罩层中之沟渠图案; 及 施加一等向蚀刻剂至该等沟渠图案,以在被覆材料 中形成诸沟渠。 18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述之 沟渠图案之尺寸系经设计以当施加蚀刻剂时在被 覆层中产生一具有半圆剖面的沟渠。 19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 导光芯材包含玻璃。 20.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 沉积一被覆层包含使用旋涂制程、物理气相沉积 制程及一化学气相沉积制程之至少之一。 21.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 以一导光芯材填充该第一沟渠及该镜像沟渠包含 使用旋涂制程、物理气相沉积制程、及化学气相 沉积制程的至少之一。 22.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 平坦化包含使用化学机械研磨制程及回蚀制程之 至少之一。 23.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 将镜像沟渠固定至第一沟渠的步骤使用一环氧制 程及压合制程之至少之一。 24.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 导光芯材系同心地定位于该沟渠及镜像沟渠内。 25.如申请专利范围第15项所述之方法,更包含以一 切割制程,去除该基板的端部的步骤。 26.一种光波导,至少包含: 一底部份,该底部份包含: 一底基板; 一第一介电被覆层,沉积在该底基板上并具有一实 质平坦第一外表面; 一半圆沟渠形成在该第一被覆层中;及 一导光芯材,同心地定位在该半圆沟渠中并具有一 第一表面,其系与该第一外表面同平面; 一顶部份,固定至底部份,该顶部份包含: 一顶基板; 一第二介电被覆层,沉积在该顶基板上并具有一实 质平坦第二外表面; 一半圆镜像沟渠形成在该被覆层中;及 一导光芯材,同心地定位在该半圆镜像沟渠中并具 有一第二表面,其系与该第二外表面同平面。 27.如申请专利范围第26项所述之光波导,其中上述 之顶部份系以一压合制程或环氧制程的至少之一 种方式被固定至该底部份。 28.如申请专利范围第26项所述之光波导,其中上述 之沟渠及镜像沟渠均包含一半圆通道,其具有第一 及第二半圆终端,用以接收光学信号。 29.如申请专利范围第28项所述之光波导,其中上述 之第一半圆终端具有一与第二半圆终端不同之半 径。 30.如申请专利范围第26项所述之光波导,其中上述 之底部份的沟渠被定位接近该顶部份的镜像沟渠 。 图式简单说明: 第1图为一传统IC光波导。 第2A图为使用一基板及一被覆材料的本发明的例 示光波导的立体图。 第2B图为使用一基板作为被覆材料的本发明例示 光波导的立体图。 第3A图为本发明之例示波导的底半部的立体图。 第3B图为本发明之例示波导顶半部的立体图。 第4A至4I图为用以形成积体电路波导的例示方法。 第5图为本发明之例示波导的底部份之详细剖面图 。 第6图为架构以收纳各尺寸光连接之本发明的波导 的例示实施例。 |
