| 主权项 |
1.一种发光二极体封装结构,其系包含: 一导电基板,其顶面具有一导电线路而其底面则具 有至少一金属面; 一发光二极体晶片,其底面具有一作用面积,贴附 该导电基板上,并与该导电线路电连相接; 一萤光粉体层,舖设于该发光二极体晶片之顶面; 以及 一封装壳体,设置于该导电基板上,用以将该发光 二极体晶片封存于一密闭空间。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该发光二极体晶片系一选自镓砷半导体( GaAs)、镓砷磷半导体(GaAsP)、镓磷氮半导体(GaPN)及 氮化镓半导体(GaN)之晶片。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该发光二极体晶片之该作用面积为0.08-0.1 平方公分(cm2)。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该发光二极体晶片之功率为5-40瓦(W)。 5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该发光二极体晶片之操作电流密度为10-20 安培/平方公分(A/cm2)。 6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该发光二极体晶片之操作电流为1.5-2.5安 培(A)。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,更包含一光源反射罩,设置于该发光二极体晶 片之四周,用以集射该发光二极体晶片所转化而得 之光能。 8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该封装壳体为一塑胶壳体。 9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该封装壳体为一由环氧树脂所制成之壳体 。 10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该密闭空间内更填有一液体或一胶体,用 以降温及减低热应力。 11.如申请专利范围第10项所述之发光二极体封装 结构,其中该液体系为一矽油。 12.如申请专利范围第10项所述之发光二极体封装 结构,其中该胶体系为一矽胶。 13.一种发光二极体封装结构,其系包含: 一双层式基板,其包含一散热片与一第一线路板, 其中该第一线路板系堆叠于该散热片之上表面; 一发光二极体晶片,其底面具有一作用面积,贴附 于该双层式基板,并电连接该第一线路板;以及 一萤光粉体层,设置于该发光二极体晶片上,用以 将该发光二极体晶片逸散之光源转化为所需之波 长。 14.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中该发光二极体晶片系以覆晶方式设置于 该第一线路板上。 15.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中该散热片系为一绝缘导热材质所构成。 16.如申请专利范围第15项所述之发光二极体封装 结构,其中该绝缘导热材质系为氮化铝。 17.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中该双层式基板更包含有一散热金属片, 设置于该散热片底部,并透过复数个贯穿孔与该第 一线路板连接,用以有效逸散热量。 18.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中该发光二极体晶片系一选自镓砷半导体 (GaAs)、镓砷磷半导体(GaAsP)、镓磷氮半导体(GaPN)及 氮化镓半导体(GaN)之晶片。 19.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中该发光二极体晶片之该作用面积为0.08-0 .1平方公分(cm2)。 20.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中该发光二极体晶片之功率为5-40瓦(W)。 21.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中该发光二极体晶片之操作电流密度为10- 20安培/平方公分(A/cm2)。 22.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中该发光二极体晶片之操作电流为1.5-2.5 安培(A)。 23.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,更包一封装壳体,设置于该双层式基板上,用 以将该发光二极体晶片封存于一密闭空间。 24.如申请专利范围第23项所述之发光二极体封装 结构,其中该封装壳体为一塑胶壳体。 25.如申请专利范围第23项所述之发光二极体封装 结构,其中该封装壳体为一由环氧树脂所制成之壳 体。 26.如申请专利范围第23项所述之发光二极体封装 结构,其中该密闭空间内更填有一液体或一胶体, 用以降温及减低热应力。 27.如申请专利范围第26项所述之发光二极体封装 结构,其中该液体系为一矽油。 28.如申请专利范围第26项所述之发光二极体封装 结构,其中该胶体系为一矽胶。 29.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,更包含一光源反射罩,设置于该发光二极体 晶片之四周,用以集射该发光二极体晶片所转化而 得之光能。 30.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中萤光粉体层,系由一矽铝氮氧化合物所 构成。 图式简单说明: 第一图:其系揭示习知发光二极体封装结构之剖面 示意图。 第二图:其系揭示本案一较佳实施例之发光二极体 封装结构之剖面示意图。 第三图:其系揭示本案另一较佳实施例之发光二极 体封装结构之剖面示意图。 |
