多波长发光二极体构造及其制程

摘要

本发明系分别在相对应于发光晶片的底层以及周边以上的部位覆设有至少一种具既定波长的萤光材，俾在发光晶片通电作用下，分别激发其底层及周边以上部位的萤光材而形成较高发光效率及预期的出色光，由于此出色光系由发光晶片分别激发其底层部位的萤光材以及周边以上部位的萤光材所构成，因此不会发生相互干扰之现象，不但可获致较高发光效率及色泽准确的出色光，而且不同部位的萤光材份量、比例较容易控制，将有利于掌控多波长发光二极体之品质，以及大幅提升其产能。

主权项

1.一种多波长发光二极体,系在发光晶片的底层部 位覆设相对波长较长的第一种萤光材,以及在发光 晶片周边以上的部位覆设有相对波长较短的第二 种萤光材。 2.如申请专利范围第1项所述多波长发光二极体,该 发光晶片系为蓝色晶片,该发光晶片的底层部位系 覆设红光萤光材,该发光晶片周边以上的部位系覆 设绿色萤光材。 3.一种多波长发光二极体之制程,系包括有下列步 骤: a.将相对波长较长的第一种萤光材与胶体混合成 为固晶胶,并将此萤光胶覆设在发光晶片的载体中 ; b.将发光晶片固定在上述固晶胶中,并将固晶胶烤 合; c.进行发光晶片与电极端的搭接; d.将相对波长较短的第二种萤光材与胶体混合成 为萤光胶,并将此萤光胶灌注在发光晶片周边以上 的部位; e.最后将萤光胶烤合即完成多波长发光二极体之 制程。 4.一种多波长发光二极体,系在发光晶片的底层部 位覆设相对波长较长的第一种萤光材,以及在发光 晶片周边以上的部位覆设有相对波长较短的第二 、第三种萤光材。 5.如申请专利范围第4项所述多波长发光二极体,该 第三种萤光材的波长系介于第一、第二种萤光材 之间。 6.如申请专利范围第4项所述多波长发光二极体,该 发光晶片系为蓝色晶片,该发光晶片的底层部位系 覆设红光萤光材,该发光晶片周边以上的部位系覆 设绿色萤光材以及黄色萤光材。 7.一种多波长发光二极体之制程,系包括有下列步 骤: a.将相对波长较长的第一种萤光材与胶体混合成 为固晶胶,并将此萤光胶覆设在发光晶片的载体中 ; b.将发光晶片固定在上述固晶胶中,并将固晶胶烤 合; c.进行发光晶片与电极端的搭接; d.将相对波长较短的第二、第三种萤光材与胶体 混合成为萤光胶,并将此萤光胶灌注在发光晶片周 边以上的部位; e.最后将萤光胶烤合即完成多波长发光二极体之 制程。 8.一种多波长发光二极体,系在发光晶片的底层部 位覆设相对波长较长的第一、第二种萤光材,以及 在发光晶片周边以上的部位覆设有相对波长较短 的第三种萤光材。 9.如申请专利范围第8项所述多波长发光二极体,该 第二种萤光材的波长系介于第一、第三种萤光材 之间。 10.如申请专利范围第8项所述多波长发光二极体, 该发光晶片系为蓝色晶片,该发光晶片的底层部位 系覆设红光萤光材以及黄光萤光材,该发光晶片周 边以上的部位系覆设绿色萤光材。 11.一种多波长发光二极体之制程,系包括有下列步 骤: a.将相对波长较长的第一种萤光材以及第二种萤 光材分别与胶体混合,并且分别制成胶饼; b.将第一种萤光材以及第二种萤光材所制成的胶 饼放置在发光晶片的载体中,再放上发光晶片,并 且加以烤合固定; c.进行发光晶片与电极端的搭接; d.将相对波长较短的第三种萤光材与胶体混合成 为萤光胶,并将此萤光胶灌注在发光晶片周边以上 的部位; e.最后将萤光胶烤合即完成多波长发光二极体之 制程。 12.一种多波长发光二极体之制程,系包括有下列步 骤: a.将相对波长较长的第一种萤光材以及第二种萤 光材分别与胶体混合,并且分别制成胶饼; b.将第一种萤光材以及第二种萤光材所制成的胶 饼与晶片烤合固定成为半成品; c.将上述半成品放置在发光晶片的载体中并且加 以烤合固定; d.进行发光晶片与电极端的搭接; e.将相对波长较短的第三种萤光材与胶体混合成 为萤光胶,并将此萤光胶灌注在发光晶片周边以上 的部位; f.最后将萤光胶烤合即完成多波长发光二极体之 制程。 13.如申请专利范围第3项或第7项或第11项或第12项 所述多波长发光二极体之制程,其中,系利用金线 构成发光晶片与电极端的搭接。 图式简单说明: 第一图系为习用多波长发光二极体之结构示意图 。 第二图系为另一种习用多波长发光二极体之结构 示意图。 第三图系为本发明第一实施例之多波长发光二极 体结构示意图。 第四图系为本发明第二实施例之多波长发光二极 体结构示意图。 第五图系为本发明第三实施例之多波长发光二极 体结构示意图。