| 主权项 |
1.一种磁性穿遂接面结构之绝缘层检测法,所述磁 性穿遂接面结构具有依序上下叠接之一上铁磁层 、一绝缘层及一下铁磁层,磁性穿遂接面结构之绝 缘层检测法包含以下步骤: (A)量测上、下铁磁层间于不同频率下之电容; (B)由步骤(A)所量测之电容变化情形,判测绝缘层之 品质优劣。 2.依据申请专利范围第1项所述之磁性穿遂接面结 构之绝缘层检测法,其中,于步骤(A)所量测出之电 容是一具有一实部及一虚部之电容値,并将变化之 电容値的实部与虚部分别为横座标及纵座标,绘制 成一电容谱图,且由电容谱图之曲线变化判定所述 绝缘层之品质。 3.依据申请专利范围第2项所述之磁性穿遂接面结 构之绝缘层检测法,其中,当该电容谱图之曲线具 有一开口向下且上扬之抛物线段,及一由该抛物线 段之最高点处向上延伸之直线段时,代表所述绝缘 层氧化不足,品质不佳; 当该电容谱图之曲线具有一开口向下之抛物线段, 及一由抛物线段之向下延伸处往上直线延伸之直 线段且在抛物线与直线连接处形成一开口向上之 凹谷时,代表所述绝缘层氧化适当,品质较佳; 当该电容谱图之曲线具有一开口向下之第一抛物 线段、一由第一抛物线末端上扬延伸之第二抛物 线段,及一由第二抛物线段末端向上直线延伸之直 线段时,代表所述绝缘层氧化过度,品质不佳。 图式简单说明: 图1是本发明磁性穿遂接面结构之检测法的侧面示 意图,说明一磁性穿遂接面结构与一阻抗分析仪连 接以量测磁性穿遂接面结构之电容値; 图2是该磁性穿遂接面结构以一般电阻量测方式量 测出之磁阻比与电阻相对于氧化时间之关系图; 图3是该较佳实施例量测出磁性穿遂接面结构之电 容値之电容谱图,说明一绝缘层之氧化时间分别为 30秒与50秒时之电容値变化曲线; 图4是类似于图3之视图,说明所述绝缘层之氧化时 间分别为80秒与100秒时之电容値变化曲线;及 图5是类似于图3之视图,说明所述绝缘层之氧化时 间分别为120秒与130秒时之电容値变化曲线。 |
