| 主权项 |
1.一种近接式感应器,其中至少包含: 一第一物体,以产生一磁场; 一第二物体,其系由含铁材料制成,其中该第一物 体与该第二物体可以相对地移动;以及 一侦测器,其系位于足够接近该第一物体之处以侦 测该磁场, 使得使用时当该第一与第二物体相互接近时,该磁 场从第一物体流入第二物体,因而丧失侦测该磁场 之能力,并且发出一接近讯号。 2.如申请专利范围第1项所述之近接式感应器,其中 上述之侦测器以一非含铁侧壁与该第一物体与该 第二物体分离。 3.如申请专利范围第2项所述之近接式感应器,其中 上述之非含铁侧壁形成一半导体制造制程工具中 一处理室的一部份。 4.如申请专利范围第3项所述之近接式感应器,其中 上述之该近接式感应器系使用于侦测该半导体制 造制程工具中之一晶圆的存在。 5.如申请专利范围第1项所述之近接式感应器,其中 上述之第一物体与该第二物体系配置于一晶圆搬 运手臂上。 6.如申请专利范围第5项所述之近接式感应器,其中 上述之第一物体与一晶圆夹钳机构相连结,该晶圆 夹钳机构系可移动连结于该晶圆搬运手臂,且该近 接式感应器系用来侦测该晶圆夹钳机构是否夹钳 一晶圆。 7.如申请专利范围第5项所述之近接式感应器,其中 上述之第二物体与一晶圆夹钳机构相连结,该晶圆 夹钳机构系可移动连结于该晶圆搬运手臂,且该近 接式感应器系用来侦测该晶圆夹钳机构是否夹钳 一晶圆。 8.如申请专利范围第1项所述之近接式感应器,其中 上述之侦测器系为一「霍尔效应(Hall-effect)」式感 应器。 9.如申请专利范围第1项所述之近接式感应器,其中 上述之第一物体系为一磁场源,选自一由一永久磁 铁以及一电磁铁所组成之族群中。 10.一种用于一半导体晶圆制造系统之近接式感应 器,其至少包含: 一处理室,其至少包含一侧壁,该侧壁至少具有一 由非含铁材料制成之部份; 一晶圆搬运手臂,用以于该处理室中运作; 一磁场源,以制造一磁场,其中该磁场源连结于该 晶圆搬运手臂; 一磁场感应器,安装于该处理室的外面,与该部分 邻接,其中该磁场感应器系用以侦测该磁场;以及 一切换板,由一含铁材料制成,其中该切换板连结 该晶圆搬运手臂,并用以接触该磁场感应器而使该 磁场感应器丧失侦测该磁场的能力。 11.如申请专利范围第10项所述之近接式感应器,更 包含一晶圆夹钳机构,移动连结于该晶圆搬运手臂 。 12.如申请专利范围第11项所述之近接式感应器,其 中上述之磁场源系连结于该晶圆夹钳机构。 13.如申请专利范围第11项所述之近接式感应器,其 中上述之切换板系连结于该晶圆夹钳机构。 14.如申请专利范围第10项所述之近接式感应器,其 中上述之处理器处在一真空状态,并且该至少一侧 壁作为一真空屏障。 15.如申请专利范围第10项所述之近接式感应器,其 中上述之磁场源系选自由一永久磁铁以及一电磁 铁组成之族群中。 16.如申请专利范围第10项所述之近接式感应器,其 中上述之磁场感应器系为一「霍尔效应(Hall-effect) 」式感应器。 17.一种决定两物体相互接近的方法,其中至少包含 以下步骤: 产生一磁场于一第一物体处; 侦测该磁场于一侦测器处; 引导由含铁材料制成的一第二物体与该第一物体 相互接近,以使该磁场从该第一物体流入该第二物 体; 感应磁场的一损失于该侦测器处;以及 根据磁场之该损失发出一接近讯号。 18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述产 生一磁场的步骤更包含接近一晶圆搬运手臂之末 端处形成该磁场,该晶圆搬运手臂系位于一处理室 内。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述感 应磁场的步骤更包含经由该处理室之一非含铁侧 壁,侦测该处理室外之该磁场损失。 20.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述产 生一磁场的步骤更包含诱发一磁场于靠近该晶圆 搬运手臂末端处之一晶圆夹钳机构。 21.如申请专利范围第20项所述之方法,更包含根据 该发出讯号决定该晶圆夹钳机构处于一释放位置 。 图式简单说明: 第1图为传统光学侦测元件之部分侧视图。 第2图为一群组工具之部分上视图,根据本发明之 一实施例其包含一近接式感应器。 第3图为根据本发明的一个近接式感应器之部分上 视图。 第4A图为一个近接式感应器位于一个侦测位置的 部分上视图,其乃根据本发明其他实施例。 第4B图为第4A图所显示之近接式感应器的部分上视 图。 第5A图为近接式感应器于一侦测位置之部分上视 图,其乃根据本发明再另外一个实施例。 第5B图为第5A图所显示之近接式感应器的部分上视 图,其位于一非侦测位置。 第6图为决定位于晶圆制造系统中一晶圆位置的方 法之流程图。 |
