| 摘要 |
本发明系揭示一种获得参数测试资料之方法，其系用于监测一半导体中层间之校准。该方法使用一包含一弯曲部(10,30)之测试结构，该弯曲部系由该半导体装置之一第一层的材料相对于一导线(18,38)沉积制成。多数组(16a,16b,16c,16d)之组件16，例如接点或通孔，系以连续小段距离的方式提供相对于该弯曲部(10)。一单一类比量测能在该弯曲部(10,30)的一第一端(A)及该导线(18,38)间实行，以决定其间之电阻，且取得该第一层与该半导体装置之一组件间的临界距离(或相关之可接受区间)。 |
