半导体元件之制造方法

摘要

一种半导体元件之制造方法，其系利用超临界流体，如二氧化碳(CO2)，来清洁形成于含矽介电材料层中之开口，并移除用以制作开口之蚀刻制程中所产生之有机聚合残余物。上述之开口可为接触窗开口、介层窗开口或其他开口，且开口之剖面面积可小于0.2微米平方或0.1微米平方。于利用超临界流体进行清洁后，利用原子层化学气相沉积制程来形成薄阻障层于开口中。形成导电材料层于阻障层上，藉以提供超大型积体电路(VLSI)元件具增进之接触电阻的接触结构。