发明名称 积体电路之直接记忆体存取介面及其方法
摘要 一种直接记忆体存取介面结合所设定之位元线选择资料至一所欲之页暂存器元件之一特定储存元件中。此选择资料以及一存取致能讯号启动一记忆存取闸极以电性耦接于具有一所欲之记忆位元线之一记忆存取线。个别的位元线系独立地可选择,并且一次可选择超过一个页暂存器元件。一记忆位元线之直接存取允许测量以及特性操作以与所选择之记忆体单元来电性实施。此直接电性存取允许仪器以进行特性操作所必须的电压与电流之测量。因为不需晶片解码方案,所以节省了结合于位于每一位元线选择器电路之定址解码器闸极之其它面积。因为选择资料已储存于页暂存器元件中已有双向储存元件中,所以额外面积之节省可被实现。
申请公布号 TW200627471 申请公布日期 2006.08.01
申请号 TW094132968 申请日期 2005.09.23
申请人 艾特梅尔公司 发明人 尼古拉 泰勒柯;维贾扬 阿杜苏米里
分类号 G11C7/10;G11C29/00 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 美国