发明名称 封端基异氰酸酯化合物之制造方法
摘要 〔解决手段〕关于本发明一般式(III)所示之封端基异氰酸酯化合物的制造方法,系以唑系化合物(I),与含有乙烯性不饱和基之异氰酸酯化合物(II),在0℃~90℃的温度范围反应为其特征。094137933-p01.bmp(式中,R^1,R^2,Q^1,Q^2与说明书的记载同义。)〔效果〕根据本发明制造方法,可获得效率佳的封端基异氰酸酯化合物,同时因为几乎没有副产物的产生,可以获得高纯度的该化合物。又,本发明的制造方法,因为不需要如知使用甲苯或二甲苯等的惰性溶剂,对人体或环境的安全性优异,同时制造步骤或制造设备可视为简易。以本发明所制造的封端基异氰酸酯化合物,不会残留惰性溶剂,可恰当使用于各种涂覆剂,黏接剂,成形材料等的广范领域中。094137933-p01.bmp
申请公布号 TW200626529 申请公布日期 2006.08.01
申请号 TW094137933 申请日期 2005.10.28
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 宫田英雄;村上正敏;大野胜俊
分类号 C07C265/06;C07C263/00;C07D231/12;C07D231/14 主分类号 C07C265/06
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本