纹理基底上III族氮化物发光装置之成长GROWTH OF III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES ON TEXTURED SUBSTRATES

摘要

本发明系揭示一种III族氮化物发光装置，其系成长于一纹理基底上，以降低该基底与该III族氮化物层之间的界面处之全内反射的量。在某些实施例中，该装置包括一大体上无空隙之第一成长区域，及一第二成长区域，该第二成长区域用于改良材料品质，使得高品质层可成长于该第一与第二区域的上方。