储存电容器及制造储存电容器之方法

摘要

本发明揭露一种适用于DRAM胞元的储存电容器、以及用于制造此一储存电容器的方法；该储存电容器是形成为至少部分在一半导体基板表面上。本发明亦包括一种使用该储存电容器的记忆阵列。