| 主权项 |
1.一种半导体雷射单元,系具有其具备有发光元件 及受光元件的受光发光部、第1配线基板、设置前 述受光发光部及第1配线基板者,其特征在于: 前述受光发光部及第1配线基板并列设置于前述金 属板上, 前述第1配线基板具有与前述受光发光部连接之复 数第1端子所构成之第1端子群, 前述金属板之宽度与前述第1配线基板及受光发光 部的宽度之其中任何较大的一方约一致。 2.如申请专利范围第1项之半导体雷射单元,其中前 述半导体雷射单元更具有对向以夹着前述受光发 光部而设置于前述金属板上的第2配线基板,前述 第2配线基板具有与前述受光发光部连接之复数第 2端子所构成的第2端子群,前述第2配线基板之宽度 与前述第1配线基板之宽度约一致。 3.如申请专利范围第2项之半导体雷射单元,其中前 述半导体雷射单元更具有将前述第1、第2配线基 板之配线拉出至前述金属板外部的外部配线基板, 前述外部配线基板具有与前述第1、第2端子群之 端子电性连接的复数外部端子,前述外部端子之端 子间隔比前述第1、第2端子之端子间隔宽。 4.如申请专利范围第3项之半导体雷射单元,其中前 述第1、第2配线基板及外部配线基板以树脂夹着 金属配线的一个可挠性薄片。 5.如申请专利范围第4项之半导体雷射单元,其中前 述第1、第2端子群于前述受光发光部及与前述第1 、第2配线基板并列之长边方向正交的宽度方向, 并列前述第1、第2端子,前述第1、第2配线基板具 有复数列前述第1、第2端子群。 6.如申请专利范围第5项之半导体雷射单元,其中前 述第1、第2配线基板及外部配线基板之配线的一 部分比其他配线的剥面积大。 7.如申请专利范围第6项之半导体雷射单元,其中前 述金属板于前述受光发光部及前述第1、第2配线 基板并列之长边方向面端具有未设置前述第1、第 2配线基板及受光发光部的露出部。 8.如申请专利范围第5项之半导体雷射单元,其中前 述金属板于前述受光发光部及前述第1、第2配线 基板并列之长边方向面端具有未设置前述第1、第 2配线基板及受光发光部的露出部。 9.如申请专利范围第4项之半导体雷射单元,其中前 述第1、第2配线基板及外部配线基板之配线的一 部分比其他配线的剥面积大。 10.如申请专利范围第4项之半导体雷射单元,其中 前述金属板于前述受光发光部及前述第1、第2配 线基板并列之长边方向面端具有未设置前述第1、 第2配线基板及受光发光部的露出部。 11.如申请专利范围第3项之半导体雷射单元,其中 前述第1、第2端子群于前述受光发光部及与前述 第1、第2配线基板并列之长边方向正交的宽度方 向,并列前述第1、第2端子,前述第1、第2配线基板 具有复数列前述第1、第2端子群。 12.如申请专利范围第3项之半导体雷射单元,其中 前述第1、第2配线基板及外部配线基板之配线的 一部分比其他配线的剥面积大。 13.如申请专利范围第3项之半导体雷射单元,其中 前述金属板于前述受光发光部及前述第1、第2配 线基板并列之长边方向面端具有未设置前述第1、 第2配线基板及受光发光部的露出部。 14.如申请专利范围第5项之半导体雷射单元,其中 前述第1、第2端子群于前述受光发光部及与前述 第1、第2配线基板并列之长边方向正交的宽度方 向,并列前述第1、第2端子,前述第1、第2配线基板 具有复数列前述第1、第2端子群。 15.如申请专利范围第2项之半导体雷射单元,其中 前述金属板于前述受光发光部及前述第1、第2配 线基板并列之长边方向面端具有未设置前述第1、 第2配线基板及受光发光部的露出部。 图式简单说明: 第1A图系特许第3412609号公报所记载之习知半导体 雷射单元的上面图。 第1B图系同半导体雷射单元之剥面图(第1A图之X-X' 线的剥面图)。 第2A图系特许第2003-67959号公报所记载之习知半导 体雷射单元的剥面图(第2B图之X-X'线的剥面图)。 第2B图系同半导体雷射单元的上面图。 第2C图系同半导体雷射单元的剥面图(第2B图之Y-Y' 线的剥面图)。 第3图系特许第2002-198605号公报所记载之习知半导 体雷射单元的外观图。 第4A图系本发明之第1实施样态之半导体雷射单元 的上面图。 第4B图系同实施样态之半导体雷射单元之剥面图( 第4A图之X-X'线的剥面图)。 第5A图系第2实施样态之半导体雷射单元的上面图 。 第5B图系同半导体雷射单元之剥面图(第5A图之X-X' 线的剥面图)。 第6图系第3实施样态之半导体雷射单元的上面图 。 第7图系第4实施样态之半导体雷射单元的上面图 。 第8图系第5实施样态之半导体雷射单元的上面图 。 第9A图系第6实施样态之半导体雷射单元的上面图 。 第9B图系同半导体雷射单元之剥面图(第9A图之X-X' 线的剥面图)。 第10A图系第7实施样态之半导体雷射单元的上面图 。 第10B图系同半导体雷射单元之剥面图(第10A图之X-X '线的剥面图)。 第11A图系已安装同实施样态之半导体雷射单元之 光拾取装置700的上面图。 第11B图系同光拾取装置700的剥面图。 第11C图系用以说明光碟750上之3个光束的照射位置 。 第12A图系同实施样态之光学元件900的剥面图。 第12B图系同光学元件900之剥面图(第12A图之X-X'线 的剥面图)。 第13图系第8实施样态之半导体雷射单元的上面图 。 第14图系固定同实施样态之半导体雷射单元之际 的概略剥面图。 第15图系第9实施样态之半导体雷射单元的上面图 。 第16A图系第10实施样态之光拾取装置1200的上面图 。 第16B图系同实施样态之光拾取装置1200的剥面图。 |
