| 主权项 |
1.一种穿透式电子显微镜试片之制作方法,该方法 是当在一待检测片上完成一第一试片制作,而使该 待检测片的顶表面产生一凹陷处后,于该凹陷处的 侧壁上形成一填补层,并且利用该填补层,于邻近 该凹陷处的该待检测片上进行一第二试片的制作 。 2.如申请专利范围第1项所述之穿透式电子显微镜 试片之制作方法,其中该填补层的材料包括一导体 材料。 3.如申请专利范围第2项所述之穿透式电子显微镜 试片之制作方法,其中该导体材料包括铂、钨。 4.如申请专利范围第2项所述之穿透式电子显微镜 试片之制作方法,其中该填补层的形成方法包括进 行一溅镀步骤。 5.如申请专利范围第4项所述之穿透式电子显微镜 试片之制作方法,其中该溅镀步骤所使用之能量E( 微安培)不大于所溅镀之面积(平方微米)乘以5~6倍 所得之数値。 6.如申请专利范围第1项所述之穿透式电子显微镜 试片之制作方法,其中该些试片的制作是利用一双 粒子束聚焦式离子束(Dual Beam FIB)来进行。 7.如申请专利范围第1项所述之穿透式电子显微镜 试片之制作方法,其中形成该第一试片与该第二试 片的区域彼此相连。 8.如申请专利范围第1项所述之穿透式电子显微镜 试片之制作方法,其中形成该第一试片与该第二试 片的区域彼此不相连。 9.一种穿透式电子显微镜试片之制作方法,包括: 提供一待检测片; 于该待检测片上标记出预定形成第一试片的一第 一区域; 移除该第一区域两侧之该待检测片的部分结构,以 形成二第一凹槽,且在该二第一凹槽的交界处形成 一第一条状结构; 于该第一条状结构的侧壁上,进行一第一U型切割, 而于该侧壁上形成贯穿该些第一凹槽之一第一U型 沟槽,且该第一U型沟槽的两端相距该第一条状结 构之顶表面一第一距离; 移除部分该第一条状结构,以缩小该第一条状结构 的宽度; 移除位于该第一U型沟槽的两端处上方的该第一条 状结构,以取出一片状物作为一第一试片; 形成一填补层,覆盖该二凹槽的部分侧壁或者覆盖 住保留下来之该第一条状结构的部分顶表面,其中 该填补层与该待检测片的顶表面相连; 于该待检测片上标记出预定形成第二试片的一第 二区域,其中该第二区域邻近该第一区域; 移除该第二区域两侧之该待检测片的部分结构以 及部分该填补层,以形成二第二凹槽,且在该二第 二凹槽的交界处形成一第二条状结构,而且所形成 之该第二条状结构包含有部分该填补层; 于该第二条状结构的侧壁上,进行一第二U型切割, 而于该侧壁上形成贯穿该些第二凹槽之一第二U型 沟槽,且该第二U型沟槽的两端相距该第二条状结 构之顶表面一第二距离; 移除部分该第二条状结构,以缩小该第二条状结构 的宽度;以及 移除位于该第二U型沟槽的两端处之上方的该第二 条状结构,以取出一片状物作为一第二试片。 10.如申请专利范围第9项所述之穿透式电子显微镜 试片之制作方法,其中该填补层的材料包括一导体 材料。 11.如申请专利范围第10项所述之穿透式电子显微 镜试片之制作方法,其中该导体材料包括铂、钨。 12.如申请专利范围第10项所述之穿透式电子显微 镜试片之制作方法,其中该填补层的形成方法包括 进行一溅镀步骤。 13.如申请专利范围第12项所述之穿透式电子显微 镜试片之制作方法,其中该溅镀步骤所使用之能量 E(微安培)不大于所溅镀之面积(平方微米)乘以5~6 倍所得之数値。 14.如申请专利范围第9项所述之穿透式电子显微镜 试片之制作方法,其中该第一区域与该第二区域彼 此相连。 15.如申请专利范围第9项所述之穿透式电子显微镜 试片之制作方法,其中该第一区域与该第二区域彼 此不相连。 图式简单说明: 图1A至图1I是依照本发明一较佳实施例的一种制作 穿透式电子显微镜试片之立体流程图。 图2是图1C中的条状结构108之剖面放大示意图。 图3是图1G中的条状结构122之剖面放大示意图。 |
