| 发明名称 |
LASER ANNEAL METHOD FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR20060086788(A) |
申请公布日期 |
2006.08.01 |
| 申请号 |
KR20050014927 |
申请日期 |
2005.02.23 |
| 申请人 |
SANYO ELECTRIC CO., LTD. |
发明人 |
WAKITA KEN;OGATA HIDENORI |
| 分类号 |
G02F1/136;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786 |
主分类号 |
G02F1/136 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
