发明名称 FLASH MEMORYS HAVING AT LEAST ONE RESISTANCE PATTERN ON AN UPPER OF A GATE PATTERN AND METHODS OF FORMING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100607193(B1) 申请公布日期 2006.08.01
申请号 KR20040112334 申请日期 2004.12.24
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利