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经营范围
发明名称
Method of forming a storage node of high dielectric capacitor
摘要
申请公布号
KR100607328(B1)
申请公布日期
2006.07.31
申请号
KR19990060555
申请日期
1999.12.22
申请人
发明人
分类号
H01L21/28
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
主权项
地址
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