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发明名称 Power semiconductor device with endless gate trenches
摘要 A power semiconductor device which includes endless gate trenches.
申请公布号 US2006163650(A1) 申请公布日期 2006.07.27
申请号 US20060338215 申请日期 2006.01.24
申请人 MA LING 发明人 MA LING
分类号 H01L29/94 主分类号 H01L29/94
代理机构 代理人
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