METHOD FOR THE PRODUCTION OF C PLANE-ORIENTED GAN SUBSTRATES OR ALXGA1-XN SUBSTRATES

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von c-plane GaN- oder Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N-Substraten unter Verwendung eines Ausgangssubstrates. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Verwendung eines tetragonalen (100) oder (-100) orientierten LiAlO<SUB>2</SUB>-Ausgangssubstrates; Nitridierung in einer stickstoffverbindungshaltigen Atmosphäre bei Temperaturen unterhalb der Zersetzungstemperatur von LiAlO<SUB>2</SUB>; Wachstum einer Keimbildungsschicht bei Temperaturen von 500°C bis 700°C durch Zugabe von GaCl oder AlCl oder einem Gemisch von GaCl und AlCl in einer stickstoffverbindungshaltigen Atmosphäre; Wachstum von einkristallinem, c-plane orientierten GaN oder Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N auf der Keimbildungsschicht bei Temperaturen im Bereich zwischen 900°C und 1050°C durch Hydridgasphasenepitaxie (HVPE) mit GaCl oder AlCl oder einer GaCl/AlCl-Mischung in einer stickstoffverbindungshaltigen Atmosphäre; Abkühlen des Substrats.