发明名称 |
光刻机像质检测技术中曝光剂量范围的确定方法 |
摘要 |
本发明提供了一种省时、有效的确定FOCAL技术曝光剂量范围的方法。基于FOCAL技术的基本原理,最佳曝光剂量下的精细结构线宽与离焦量之间需满足一定的变化规律。以最佳曝光剂量下的精细结构线宽与离焦量的变化规律,作为确定曝光剂量范围的限定条件,通过分析不同曝光剂量下的精细结构线宽与离焦量的关系曲线,可将不满足此限定条件的曲线所对应曝光剂量排除在FOCAL曝光剂量范围之外,从而实现FOCAL曝光剂量范围快速、有效的确定。该方法为一个模拟过程,在计算机上利用现有软件即可实现。 |
申请公布号 |
CN1266548C |
申请公布日期 |
2006.07.26 |
申请号 |
CN200410067239.7 |
申请日期 |
2004.10.18 |
申请人 |
上海微电子装备有限公司 |
发明人 |
张冬青;王向朝;施伟杰 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
1.一种在光刻机FOCAL像质检测过程中确定曝光剂量范围的方法(100),其特征在于,采用如下步骤:(a)确定FOCAL测试的照明条件与工艺条件阶段(11),所述照明条件与所述工艺条件是指FOCAL测试过程所采用的相干因子与数值孔径大小、光刻胶类型、光刻胶厚度、后烘温度、后烘时间、显影时间;所述照明条件与所述工艺条件分别与FOCAL测试过程所采用的照明条件与工艺条件相同;(b)确定需要用光刻仿真软件仿真的掩模图形与相应尺寸阶段(12),所述掩模图形为占空比1∶1的密集线条;(c)确定仿真过程的离焦量与离焦步进量阶段(13);(d)确定仿真过程的最小曝光剂量与最大曝光剂量阶段(14);(e)光刻仿真软件模拟阶段(15);输入步骤(a)至(d)所确定的参数,得到经曝光、后烘、显影后不同曝光剂量、不同离焦量所对应的所述标记图形的线宽;(f)确定FOCAL曝光剂量范围的最小值阶段(16);分析仿真得到的不同曝光剂量下的精细结构线宽与离焦量的关系曲线;满足精细结构线宽随离焦量的增大而减小的变化规律的曲线所对应的最小曝光剂量值为FOCAL曝光剂量范围的最小值;(g)确定FOCAL曝光剂量范围的最大值阶段(17);分析仿真得到的不同曝光剂量下的精细结构线宽与离焦量的关系曲线;具有5个可用于判断最佳曝光剂量的非零数据点的曲线所对应的最大曝光剂量值为FOCAL曝光剂量范围的最大值。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张东路1525号 |