发明名称 用于组装纳米-微米阵列材料的金属铝模板制备方法
摘要 本发明涉及一种用于组装纳米-微米阵列材料的模板制备方法,其特点是:将具有70%(100)面的高纯铝箔进行预处理,放入含氯离子的酸性溶液中浸蚀,浸蚀过程中,铝箔作阳极,对铝箔施加电流密度为0.1×10<SUP>4</SUP>~7.0×10<SUP>7</SUP>A/m<SUP>2</SUP>,浸蚀液氯离子溶液浓度为0.5mol·L<SUP>-1</SUP>~6.0mol·L<SUP>-1</SUP>,酸的浓度为0.1mol·L<SUP>-1</SUP>~5.0mol·L<SUP>-1</SUP>,浸蚀温度60℃到90℃,浸蚀时间2~200s。浸蚀结束后,可对此铝模板作进一步的孔径调节处理。然后铝箔用大量的清水洗涤,洗去表面残留的浸蚀液,洗涤完毕,将铝箔干燥,即得可用于组装纳米-微米阵列材料的孔径在100nm~2000nm之间的铝隧道孔模板。用上述电化学方法制备铝模板工艺简单、成本低、面积可控,得到的高纯铝箔具有比氧化铝模板无法比拟的韧性及更好的机械强度和耐腐蚀性,由此模板制得的各种纳米-微米阵列材料可广泛用于光、电、磁、声、热、催化、纳米机械、纳米电子器件领域的研究及应用。
申请公布号 CN1807701A 申请公布日期 2006.07.26
申请号 CN200510022219.2 申请日期 2005.12.06
申请人 四川大学 发明人 闫康平;鲁厚芳
分类号 C25D11/04(2006.01);B82B3/00(2006.01) 主分类号 C25D11/04(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种用于组装纳米-微米阵列材料的铝隧道孔模板制备方法,包括以下步骤:1)将铝箔进行预处理,2)对预处理后的铝箔在含氯离子的酸性溶液中电解浸蚀获得隧道孔,3)浸蚀后铝箔作进一步的模板孔径调节处理,4)处理后的铝箔模板用水洗涤、烘干。
地址 610065四川省成都市武侯区一环路南一段24号