由清洗形成圆滑边角的浅沟渠隔离方法

摘要

本发明为一种由清洗形成圆滑边角的浅沟渠隔离方法，包括沉积硬屏蔽层在覆盖有垫氧化层的硅基底上，图案化该硬屏蔽层及垫氧化层以形成开口而曝露该硅基底，蚀刻该曝露的硅基底以形成沟渠，为该沟渠形成内衬，填充绝缘物在该沟渠内，回蚀刻该绝缘物，去除该硬屏蔽层及垫氧化层以形成浅沟渠隔离结构，其中，在形成内衬以前的清洗过程中使用会耗损硅的溶液，因而使该沟渠的边角在清洗过程中同时被圆滑化，达到以简单、快速且低成本的方式解决浅沟渠隔离的边角薄化的问题。

主权项

1.一种由清洗形成圆滑边角的浅沟渠隔离方法，其特征在于，包括下列步骤：沉积硬屏蔽层在覆盖有垫氧化层的硅基底上；图案化该硬屏蔽层及垫氧化层以形成开口曝露该硅基底；蚀刻该曝露的硅基底以形成沟渠；拉回该垫氧化层的边缘以曝露该沟渠的边角；以及施予清洗，使该曝露的边角同时被圆滑化。