发明名称 利用铟镓氮发光二极管作为红外目标信号探测的成像装置
摘要 本发明公开了一种利用铟镓氮量子阱发光二极管作为红外目标信号探测的成像装置。该成像装置包括:二片透镜、分束片、低温杜瓦和InGaN量子阱发光二极管。红外目标源前进的方向上依次置有第一透镜、对红外光全透和可见光全反的分束片和可作为红外目标源探测用的置于低温杜瓦中的发光二极管;发光二极管发出的可见光图像的前进方向上依次置有对红外光全透和可见光全反的分束片和第二透镜。它是利用二极管在低温下,发光中心富In的InGaN量子点在发光的同时可对红外波长吸收,从而引起量子点的发光减弱。即可以通过发光二极管发出的可见光发生变化的空间位置与红外光照到的点的一一对应来实现对目标的红外信号探测。本发明的优点是:红外响应的读出采用人眼对发光二极管的发光强度的直接判读而实现,大大简化了成像装置的结构。
申请公布号 CN1808730A 申请公布日期 2006.07.26
申请号 CN200510111089.X 申请日期 2005.12.02
申请人 中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司 发明人 陆卫;侯颖;甑红楼;李宁;李志锋;张波;夏长生;陈效双;陈明法
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 上海新天专利代理有限公司 代理人 田申荣
主权项 1.一种利用铟镓氮发光二极管作为红外目标信号探测的成像装置,包括:二片透镜、分束片、低温杜瓦和InGaN量子阱发光二极管,其特征在于:红外目标源前进的方向上依次置有第一透镜(3)、对红外光全透和可见光全反的分束片(4)和可作为红外目标源探测用的置于低温杜瓦中的发光二极管(1);发光二极管(1)发出的可见光图像的前进方向上依次置有对红外光全透和可见光全反的分束片(4)和第二透镜(5);红外目标源位于第一透镜(3)的焦点,红外目标源透过第一透镜(3)和分束片(4),再通过低温杜瓦(2)的窗口进入发光状态的InGaN量子阱发光二极管(1),在发光二极管的发光面上形成被红外光照到的空间位置发光发生变化的可见光图像;该可见光图像经分束片(4)反射进入第二透镜(5),人眼在第二透镜的焦点位置上可直接观测到发光二极管上的红外成像图案,由此构成一个红外探测成像装置。
地址 200083上海市玉田路500号