| 发明名称 | 电子组件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种电子组件及其制造方法，其具有一衬底材料以及涂覆于所述衬底材料上的多个半导体层，其中，在所述的多个半导体层间，所述的电子组件更包含一或多个半导体结，且所述电子组件中的所述一或多个半导体结皆由所述半导体层形成，所述的半导体层包含一惰性基质材料，其中一无机半导体材料以微粒方式埋在所述的惰性基质材料内。该电子组件成本低廉，制造简单。 | ||
| 申请公布号 | CN1266774C | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN01819891.0 | 申请日期 | 2001.11.30 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | G·施米德 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L29/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种电子组件，其具有一衬底材料以及涂覆于所述衬底材料上的多个半导体层，其中，在所述的多个半导体层间，所述的电子组件更包含一或多个半导体结，且所述电子组件中的所述一或多个半导体结皆由所述半导体层形成，所述的半导体层包含一惰性基质材料，其中一无机半导体材料以微粒方式埋在所述的惰性基质材料内，且所述一或多个半导体结是指经不同导电类型掺杂的半导体层之间的结与具有相同导电类型但掺杂浓度不同的半导体层之间的结。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||