发明名称 Ferroelectric memory device and method of forming the same
摘要
申请公布号 KR100605101(B1) 申请公布日期 2006.07.26
申请号 KR20030096635 申请日期 2003.12.24
申请人 发明人
分类号 H01L27/105 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
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