| 发明名称 | 在镶嵌工艺中的抛光之后检测残余衬里材料的方法和结构 | ||
| 摘要 | 一种用于在镶嵌工艺中的抛光之后检测残余衬里材料的方法和结构，包括包含衬底的集成电路；衬底上方的介质层；介质层上方的标记层；标记层和介质层上方的衬里；以及衬里上方的金属层，其中标记层包括紫外线可检测材料，所述材料在由紫外线激励时以信号表明在标记层上方不存在金属层和衬里。而且，标记层包括与介质层分开的独立的层。此外，紫外线可检测材料包括荧光材料或磷光性材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1808715A | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN200510119297.4 | 申请日期 | 2005.11.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 爱德华·W·克沃拉;罗纳德·菲利比;罗伊·C·伊古尔登;王平川;斯蒂芬·K.·洛 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种集成电路，包括：衬底；所述衬底上方的介质层；所述介质层上方的标记层；所述标记层和所述介质层上方的衬里；和所述衬里上方的金属层；其中所述标记层包括紫外线可检测材料，所述材料在被紫外线激励时以信号表明在所述标记层上方不存在所述金属层和所述衬里。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||